非晶态半导体存储器

　　非晶态半导体存储器（汉语拼音：Fei jin tai ban dao ti cun cu qi；英语：amorphous semiconductor memory），利用外界条件如电、热、压力、光等，使非晶态薄膜的结构发生变化，用以记录和存储信息的器件。主要有电存储器和光存储器两大类，前者利用非晶态半导体在电学性质上存在的双稳态特性质，即利用不同的电脉冲信号使其保持高阻状态（关态）和低阻状态（开态）工作。后者利用光辐照使非晶态半导体中的光斑处发生结构变化（一般为非晶态与晶态之间的变化），以记录光信息。它具有光的双稳态性质。非晶态半导体存储器具有信息可长期保持而无功耗，抗高能粒子辐照等特点，可用作高密度，高信噪比的信息记录介质，例如光盘等。