半导体探测器

　　半导体探测器（拼音：bàn dǎo tǐ tàn cè qì），（英语：semiconductor detector），用半导体材料制成的将射线能量转换成电信号的探测器。又称半导体计数器。实质上是一个半导体材料高掺杂的较大体积的晶体二极管。

原理

　　入射粒子进入半导体探测器后，产生空穴-电子对 ，这些空穴 -电子对被探测器两电极的电场分开，并分别被阴极和阳极收集，产生同射线粒子交出的能量成正比的输出脉冲信号，从而可探测射线的强度。由于产生一个空穴-电子对所需的能量约3电子伏特（eV），半导体探测器的能量分辨率比闪烁计数器和气体电离探测器的要高得多。

应用

　　随着科学技术不断发展需要，科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器，如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等，并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用半导体探测器作为顶点探测器。美国费米实验室的CDF和D0，SLAC的B介子工厂的BaBar实验，西欧高能物理中心（CERN）LEP上的L3，ALEPH，DELPHI，OPAL，正在建造的质子-质子对撞机LHC上的ATLAS，CMS及日本的KEK，德国的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS还采用了硅微条探测器代替漂移室作为径迹测量的径迹室。近些年高能物理领域所有新的物理成果，无不与这些高精度的具有优良性能的先进探测器密切相关。