场效应晶体管

　　场效应晶体管（汉语拼音：Changxiaoying Jingtiguan；英语：field effect transistor ），利用场效应原理工作的晶体管，英文简称FET。

历史

　　场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。

组成

　　FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

　　大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。

用途

　　IGBT在开关内燃机点燃管中有用。快速开关和电压阻碍能力在内燃机中是非常重要的。

　　大部分常用的FET是金属氧化物半导体场效应管。互补式金属氧化物半导体过程技术是现代数字集成电路的基础。这个过程技术排列了相连成串的p沟道MOSFET和n沟道MOSFET（通常在提高模式），使得当一个开，另一个则关。

　　MOSFET中栅和沟道之间的脆弱绝缘层使得它在操作中容易受到静电损坏。器件在合适的设计电路中安装后则通常不成问题。

　　在FET中，当在线性模式下运行，电子能向各个方向流动通过沟道。当器件是特别的（但并不是经常的）从源极到漏极的对称制造，漏极和源极的名称变化有时是随机的。这使得FET适合用来开关路程间的模拟信号（多路技术）。例如，由这一概念，固体混合板就可以被构造出。