范绪筠

范绪筠

范绪筠（1912～2001），美籍华裔物理学家。生于上海，卒于美国。1932年毕业于哈尔滨工业学校，同年赴美。1937年获麻省理工学院理学博士学位。同年回国，先后任清华大学和西南联大教授，清华大学无线电研究所研究员。1947年休假赴美，先在其母校作研究，后任普渡大学教授、该校物理学邓肯教授。1957年入美国国籍，1978年退休。退休后为该校荣誉教授。

范绪筠从事半导体物理的理论与实验研究。西南联大期间，他以《固体间电接触的理论》和《金属间以及金属和半导体间的接触》两篇论文，分别定性和定量地讨论了金属和半导体的不同特性，特别是半导体中传导电子的密度可能会出现偏离正常值相当大的现象，从而对固体电子学的发展，尤其是第二次世界大战以后的半导体广泛应用起了重要作用。20世纪40年代末，他研究锗、硅半导体，以光学性质证明半导体有禁带，从实验上证明锗和硅有吸收限。50年代中期以后，又对半导体材料各种特性及其晶体缺陷、对多元化合物以及氧化物半导体的拉曼散射和相变等进行研究。

范绪筠曾是美国国家研究委员会固体科学小组的成员，1969～1972年任国际纯粹物理学与应用物理学联合会半导体委员会通讯会员，1959～1961年是美国物理学会固体物理行政委员会成员。