静电感应晶体管

　　静电感应晶体管（汉语拼音：jìng diàng gǎn yìng jīng tǐ guǎn），（static induction transistor），源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管。简称SIT。1971年由日本的西泽润一首创。70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本得到迅速发展。SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒控制。在漏极上加一定电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高，源漏电流越大，亦即源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的。SIT的特点是频率覆盖范围宽、功率覆盖范围大，广泛应用于高保真音响、电源、电机控制、通信机、雷达、导航和各种电子仪器中。同双极型晶体管相比，SIT具有线性好、噪声小，输入阻抗高、输出阻抗低，开关速度快，可靠性高，低温性能好等优点。